在光电子学中,伴随着能量释放的激子-激子湮灭是典型的非辐射复合现象。该现象会导致光致发光量子产率显著地下降,从而严重地降低了光电子器件的最大效率,所以在半导体制造中一般会对其进行严格抑制。近年来,科学家们提出了多种抑制方法,其中激光辐照法、引入缺陷法和施加应变法已经成为了抑制二维过渡金属硫族化合物中激子-激子湮灭的有效手段。然而,这是以损坏材料的原子结构为代价的,因此也限制了以上方法的实际应用。为了不破坏原子结构,科学家们幸运地发现范德华层状结构通过扭转原子层之间的角度可以产生摩尔势,摩尔势能够有效地抑制激子-激子湮灭,在激子的人工控制方面展现出了新的应用前景。论文提出了一种通过改变层间扭转角来无损地控制二硫化钨同质结中激子-激子湮灭的方法,利用荧光寿命成像测量技术系统地研究了层间扭转角对激子-激子湮灭的影响。值得注意的是,由于在较小的层间扭转角下存在较大的摩尔势,激子的扩散受到阻碍,激子-激子湮灭速率从9°转角二硫化钨同质结中的1.01×10-1cm~2s-1降低到1°转角二硫化钨同质结中的4.26×10-2cm~2s-1。论文的结果揭示了过渡金属硫族化合物同质结中的层间扭转角对激子-激子湮灭的作用,提供了高光致发光量子产率光电子器件的制造依据,对基于二维层状材料的半导体集成器件的设计具有指导意义。