该文通过使用少体物理方法,主要研究了半导体量子点中激子的低激发态能谱.首先,在有效质量近似下,通过对系统哈密顿量进行精确数值对角化,研究了磁场中单层和双层垂直耦合量子点激子的低激发态能谱.在推导运算中,使用了在两套不同三体系统Jacobi相对坐标下二维谐振子乘积基的Talmi-Moshinsky变换系数,从而将多重积分转化为单积分.获得了对于双层量子点间的几个不同距离d,激子低激发态能谱随外加磁场以及随点大小的变化情况.接着,在有效质量近似下,研究了在抛物半导体量子点中,分别在有无电子-纵光电子声子(LO声子)耦合影响下,激子低激发态能谱随量子点大小的变化情况.最后,通过精确求解双层量子点中双激子系统的薛定谔方程,研究了在半导体双层量子点中,双激子的低激发态能谱.在推导运算中,使用了两套不同四体系统相对坐标下的二维谐振子乘积态的变换系数.在对称性的基础上,推导出了低激发谱的特性;同时,还获得了对于量子点大小的几个不同取值,基态束缚能随电子-空穴质量比σ的变化情况.