半导体LED及其应用被认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。发光二极管作为一种全新的照明技术,利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能,具有发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保卫生等优越性。本研究致力于提高LED的发光亮度和发光效率,降低生产成本。本文针对AlGaInP红光大功率高亮度LED,采用MOCVD、蒸镀机、光刻机、清洗台、PECVD、晶圆键合机、ICP刻蚀机等一系列设备,研究了LED整套工艺,对LED进行了包含ODR全方位反射镜、P/N型低温退火形成欧姆接触层、以及高透过率导电层ITO及表面粗化等多项新工艺的改进,制成成品芯片在20mA电流驱动下,正向导通电压为2.2V,反向漏电流<10μA,波长620-625nm,光强大于350mcd。由于该亮度档的小功率LED封装后亮度可达到传统高亮红光片的2倍以上,并且功率低于1W,所以能很好的满足了中高端SMD以及直插式封装的需求,因此可广泛应用在LED显示屏、车灯、景观照明、以及半导体照明等高需求领域。