在电子材料领域，单一材料的性能很难满足所有需求，因此复合材料成为研究的热点。钙钛矿陶瓷材料介电、压电常数高、模量大，但加工性能差；含氟聚合物压电材料介电和压电性能低，但其模量低，可塑性好。因此，本文分别采用原子自由基连转移方法（ATRP）合成了聚偏氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-TrFE））铁电聚合物；采用溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅镧（PLZT）陶瓷粉；然后采用溶液流延法制备了P（VDF-TrFE）/PLZT复合材料。该复合材料具有高介电常数、高压电性能、低脆性和低密度等优点。论文具体工作如下：　　1）鉴于传统P（VDF-TrFE）价格高、不易合成，利用ATRP方法，以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（P（VDF-CTFE））为原料，将P（VDF-CTFE）中CTFE单元中的C1原子用H原子完全取代，使CTFE单元转变为TrFE单元从而制得氢化P（VDF-TrFE），并表征了其结构和介电性能。　　2）为获得细颗粒度的PLZT陶瓷粉末，提高PLZT陶瓷活性，釆用溶胶-凝胶法制备了PLZT陶瓷粉体，经压片和极化处理后，该PLZT陶瓷片33方向上压电常数可达121pC/N。　　3）采用溶液流延法制备了不同质量分数比的P（VDF-TrFE）/PLZT复合材料，并系统地研究了不同质量分数的PLZT对压电复合材料的压电常数、介电性能、电滞回线的影响。结果表明，复合材料的介电常数随PLZT陶瓷含量的增加而先增加后降低，当陶瓷PLZT质量比为20％时，复合材料相对介电常数最大（εr=85，100Hz）；同时，复合材料厚度方向也压电系数达到最大值（d33=-32pC/N）。　　结果表明，钙钛矿陶瓷的引入可大幅度提高PVDF基含氟聚合物材料的介电和压电性能，本研究为复合材料在压电领域的应用提供了参考。