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本文对含磷Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料MBE生长与特性进行了研究。文章探讨了含磷Ⅴ/Ⅲ.族化合物半导体激光器，探测器以及HBT的研究进展情况；阐述了分子束外延设备原理、磷炉的工作原理，外延生长机制和含磷半导体外延层的表征方法；深入研究了MBE生长的工艺对InP/InP同质外延材料、InGaP/GaAs和InGaAs/InP异质外延材料的表面形貌以及生长模式的的影响及其规律；利用Raman光谱，分析了其能带和有序化的变化规律，建立了InGaP/GaAs生长动力学模型，实现了主要参数对组份影响的预测。