【摘 要】
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电场作用下半导体超晶格和量子阱的光学性质是量子阱光电器件应用的基础.该文对其中的一些问题进行了探讨和研究,并用能带剪裁方法设计了一些较为复杂和独特的GaAs/AlGaAs量
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电场作用下半导体超晶格和量子阱的光学性质是量子阱光电器件应用的基础.该文对其中的一些问题进行了探讨和研究,并用能带剪裁方法设计了一些较为复杂和独特的GaAs/AlGaAs量子阱结构,取得了一些有意义的结果.研究人员采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵各电场作用下量子阱中激子束缚能的变化.研究人员用光谱方法研究了一个带有三角斜坡势垒的双势垒共振隧穿结构中发射极的电荷积累效应.研究人员用稳态光荧光和时间分辨光谱两种方法研究了宽量子阱中的子带间弛豫时间随子带间距的变化.
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