硫化物半导体纳米材料具有新颖的光电物理性质,具有较宽的光吸收范围,可以大大提高光的吸收效率,可以制备超离子导体,在光致发光、光电转换和传感器等方面具有其它材料不可替代的作用,在太阳能光电池领域有较好的前景。由于在微电子行业、生物芯片、微机电系统等领域的重要应用,微米和纳米尺度表面的微加工或图案化技术得到迅猛发展。本文采用化学浴沉积法,结合自组装膜(SAMs)修饰基底表面及紫外光刻技术,制备了CdS、In2S3纳米薄膜及图案化薄膜,并对薄膜的光学、光电、电学等性质进行了探讨。主要研究内容如下：　　 ⑴利用化学浴沉积法制备CdS纳米薄膜,探讨了CdS纳米薄膜的最佳生长条件,利用冷场发射扫描电镜(FESEM)、X射线光电子衍射仪(XRD)、X射线光电子衍射仪(XPS)进行了薄膜形貌和结构表征,并利用UV-Vis和电化学工作站进行薄膜光吸收性能和光电响应特性分析。研究结果表明:CdS在短波长区域有较强的吸收,符合作为窗口材料和过渡层的要求;光电性能测试表明CdS具有较好的光电响应,呈特征n-型半导体特性。　　 ⑵利用紫外光刻技术结合SAMs的特点制备了选择性好、图案边界清晰、均匀完整的CdS纳米薄膜,考察不同图案尺寸大小对光学、光电、电学等性能的影响。研究结果表明:通过制备不同图案尺寸大小的CdS纳米薄膜,控制光电化学性能。　　 ⑶利用化学浴沉积法制备In2S3纳米薄膜,通过冷场发射扫描电镜(FESEM)、X射线光电子衍射仪(XRD)、X射线光电子衍射仪(XPS)进行了薄膜形貌和结构表征,并利用UV-Vis和电化学工作站进行薄膜光吸收性能和光电响应特性分析。研究结果表明:通过调节不同沉积时间可控制光电化学性能。　　 ⑷利用紫外光刻技术结合SAMs的特点制备具有微图案结构的In2S3纳米薄膜,研究不同官能团的SAMs对于图案化In2S3纳米薄膜颗粒生长的影响,探讨有效控制颗粒在基底表面的生长行为的有效方法,制备具有正负图案的In2S3纳米薄膜。研究结果表明:通过紫外光刻技术可以制各选择性好、图案边界清晰、均匀完整的In2S3纳米图案化薄膜。