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目前碳化硅(SiC)功率开关器件已经开始商业化应用,以SiC肖特基二极管(SBD)和MOSFET为代表的开关器件,主要应用在逆变器、DC/DC等电力电子设备中,可以显著的提高功率密度和效率。然而,SiC功率开关器件在建模、驱动、保护等方面依然沿用硅(Si)基功率器件,而随着SiC功率开关器件开关频率的提高,寄生参数对驱动电路带来的的影响是不可忽视的,主要影响有两个方面:一是栅极驱动串扰,会造成桥臂直通问题;二是器件的过冲电压,会造成器件的击穿,这两个问题限制了器件高频和高压方面的应用。而在建模方面除了考虑到寄生参数,还要考虑目前SiC功率开关器件处于发展阶段,一方面器件更新快,另一方面器件存在的个体差异,因此也给器件建模带来了挑战。本文一方面在总结现有的二极管建模缺点的基础上,考虑到寄生参数的影响,提出了一种针对电路设计人员的快速建模的方法,并与实际的测试数据进行了对比;另一方面由于SiC MOSFET驱动有区别于Si基,常采用栅极负电压驱动来抑制串扰,但负电压如何选择缺乏理论依据,因此本研究首先提出了一种SiC MOSFET栅极负电压的确定方法,然后在总结现有关于SiC MOSFET驱动方案缺点基础上,提出了一种新型的SiC MOSFET半桥结构串扰抑制电路,最终通过软件LTspice进行仿真验证。主要研究内容如下:(1)通过对现有的SBD建模方法研究分析,结合实际应用需求提出了一种快速建模的方法,最终对SiC SBD分立元器件进行了测试验证,结果吻合,满足设计需求;(2)从驱动栅极负电压对SiC MOSFET过冲电压的影响角度,通过理论分析提出了一种确定驱动栅极负电压的方法,该方法可以定位到过冲电压最小时对应的栅极负电压;(3)针对SiC MOSFET串扰问题,提出了一种新型的SiC MOSFET桥式结构串扰抑制电路。该电路可以有效地抑制栅极正向串扰,并且还会提高器件的开关速度。