【摘 要】
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多晶硅薄膜在薄膜晶体管和太阳电池领域比传统的非晶硅薄膜有着更加优越和稳定的性能。目前多晶硅薄膜的沉积技术主要以化学气相沉积为主,而用更加安全和成本较低的普通磁控溅射技术通常很难沉积出多晶态的硅薄膜。通过辅助等离子体源可以解决普通磁控溅射制备过程中氢化硅薄膜结晶性较差的问题。我们利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在低温下成功制备出多晶硅薄膜。本文详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备
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多晶硅薄膜在薄膜晶体管和太阳电池领域比传统的非晶硅薄膜有着更加优越和稳定的性能。目前多晶硅薄膜的沉积技术主要以化学气相沉积为主,而用更加安全和成本较低的普通磁控溅射技术通常很难沉积出多晶态的硅薄膜。通过辅助等离子体源可以解决普通磁控溅射制备过程中氢化硅薄膜结晶性较差的问题。我们利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在低温下成功制备出多晶硅薄膜。本文详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程。利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征。
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近年来，通过磁控溅射制备的TiNi合金薄膜，因其具有良好的形状记忆性能，超弹性，防腐蚀性及生物相容性等特点被广泛用于微机电系统（MEMS）中，（如：微阀、微型悬臂梁及微泵等）。然而要应用TiNi薄膜的这些性能，就需要了解和研究薄膜的制备工艺、热处理条件、薄膜显微结构、相变行为及薄膜性能之间的关系。制取优良的TiNi薄膜器件对薄膜的厚度，薄膜成分均一性，附着性及缺陷等都有严格要求，通过控制溅射压强和
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ZnO是一种宽带隙半导体(3.37eV),六方纤锌矿结构,激子束缚能为60meV,被认为是一种潜在的制作紫外和可见光电子器件的材料,例如发光二级管,激光二极管和紫外探测器。从器件角度来说,高内量子效率的材料未必会产生高外量子效率,因为大部分光被限制在了材料体内无法逸出,导致外量子效率很低。因此,如何有效地提高材料的外量子效率成为现代器件设计的一个重要问题。最近,人们发现可以利用表面等离子激元效应可
在半导体研究中,具有六方纤锌矿晶体结构的ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽带隙化合物半导体材料的研究热点。ZnO的晶格常数a=0.3249nm, c=0.5207nm,禁带宽度在室温下约为3.28eV,激子束缚能为60meV,可实现室温下的紫外受激发射,被认为是未来光电器件的理想材料,而实现这些器件的重要一步则是ZnO带隙调制的能带工程。通过掺杂在ZnO中引入Cd组分,形成ZnCdO合金,可实现ZnO发光波长从紫
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氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以在室温或更高温度下实现激子发光,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。然而,经过多年努力,在ZnO基发光器件方面仍然未取得突破性发展,其根本原因是难以制备出优质的p型ZnO薄膜。本征ZnO具有的较高背景电子浓度是难以形成p型ZnO的根本原因。另外,大多数受主杂质固溶度较低,受主能级较深,缺乏合适的受