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铁电存储器是一种具有操作电压低、功耗低、信息保持时间长、写入速度快、抗辐射等优异特性的新型非挥发存储器,非常适合应用于嵌入式平台。目前主流的商业化铁电存储器是采用PZT材料来制备铁电薄膜,本论文对PZT铁电薄膜的改性进行了实验研究。本文基于多层复合铁电薄膜能够将多种铁电材料的优良特性相结合的原理,采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了BLT、BLT/PZT、BLT/PZT/BLT系列薄膜。研究了BLT薄膜的铁电性能,确定了最优的BLT薄膜工艺参数;研究了B