SOI(Silicon-On-Insulator),即绝缘衬底上的硅。该技术是在顶层硅和背衬底之间加入一层埋氧化层,消除了体硅器件的闩锁效应,具有抗辐射、寄生电容小、耐高温、集成密度高、速度快和短沟道效应小的优势。下变频混频器将接收机射频前端的射频信号转换为基带信号,其性能直接影响射频接收机系统的性能。因此,采用SOI CMOS工艺设计宽带低功耗下变频混频器具有很好的工程背景和应用价值。论文采用0.28μm SOI CMOS工艺设计0.3~3GHz宽带低功耗下变频混频器。该下变频混频器在双平衡吉尔伯特电路基础上,采用伪差分结构来提高线性度,使用电流复用来提高混频器的转换增益和降低其噪声系数及功耗。论文给出了电路设计、前仿真、版图设计和后仿真,并进行了流片与测试。测试结果显示,在1.8V电源电压和0.3~3GHz工作频率下,下变频混频器核心电路功耗在1.08m W左右,电压转换增益为15.64~16.95dB,输入1dB压缩点为-9.36~-6.84dBm,噪声系数范围为9.14~11.06dB,隔离度为-84~-109dB。本论文设计的下变频混频器满足了所有性能指标要求,可以广泛应用于工作频段在0.3~3GHz范围内的窄带或宽带无线通讯系统中。