【摘 要】
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I-III-VI2族三元化合物CuInSe2(CIS)作为一种极具发展前景的光吸收半导体材料,由于其对太阳光的高吸收效率(α≈5×105 cm-1)、通过掺杂可调控带宽(1.02~1.67 eV)、大于23%理论太阳能电池效率以及良好的热稳定性等优点被广泛应用在太阳能电池、光电传感器、发光二极管、光电存储设备等领域。目前制备CIS的方法主要分为物理法和化学法两大类,其中物理法包括蒸发溅射、分子束外
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I-III-VI2族三元化合物CuInSe2(CIS)作为一种极具发展前景的光吸收半导体材料,由于其对太阳光的高吸收效率(α≈5×105 cm-1)、通过掺杂可调控带宽(1.02~1.67 eV)、大于23%理论太阳能电池效率以及良好的热稳定性等优点被广泛应用在太阳能电池、光电传感器、发光二极管、光电存储设备等领域。目前制备CIS的方法主要分为物理法和化学法两大类,其中物理法包括蒸发溅射、分子束外延、液相外延和气相沉积等,由于其对实验设备的要求高,投资成本大而不利于大规模生产。相反,以溶剂热为代表的
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