相位噪声是表征频率合成器频谱纯度的重要参数。ΣΔ调制的过取样噪声整形性能,将合成器锁相环中小数分频器产生的相位杂散转换为高通型相位噪声,再利用环路低通滤波特性加以滤除。因此,ΣΔ调制成为设计高性能小数分频频率合成器的必要措施。目前国内的论文中,还没有关于应用ΣΔ调制的小数分频频率合成器噪声模型的详细理论研究,对ΣΔ调制的小数频率合成器噪声性能的验证只能通过设计初期的仿真和实际的芯片测试来实现。因此,对ΣΔ调制的小数分频频率合成器噪声模型的研究对提高ΣΔ调制的小数分频频率合成器结构性能起到指导性和启发性作用。　　本文深入分析了频率合成和ΣΔ调制理论,在分析ΣΔ小数分频频率合成器线性模型的基础上,提出了锁相环路中的充电泵非线性对ΣΔ小数频率合成器输出端相位噪声影响的理论模型。研究了充电泵增益不匹配的非线性对带内噪声影响的理论模型;分析了在鉴相器输入端时差服从高斯分布时,充电泵增益不匹配噪声与ΣΔ调制器阶数之间的关系。相位噪声模型的建立为ΣΔ小数分频频率合成器的设计提供了重要的理论依据,同时由于模型的计算结果与MATLAB行为仿真结果非常逼近,从而能为设计人员节省大量的前期模拟验证时间,有助于提高设计效率,缩短设计周期。