近几十年来,电信、雷达系统和无线传输的飞速发展给周围环境带来了严重的电磁波干扰污染。使用电磁波吸收材料是目前防范电磁波干扰最直接有效的方法。其中,碳化硅（SiC）具有不错的化学电阻性、卓越的机械性能、导热性能,特别是在极端条件下的应用,被证明是一种很有前途的电磁吸收材料。而单一的碳化硅不能满足日益增长的吸波材料高性能的需求,对碳化硅进行纳米化同时和其他吸波材料进行复合来提升其吸波性能成为了一个重要的研究方向。碳基材料有着质量轻、覆盖较薄且频带宽等优点,一直是吸波领域研究的重点。另一方面,石墨烯由于其高表面积,低密度,可调导电性和良好的化学稳定性而在微波吸收方面显示出了巨大的潜力,可以作为碳化硅的吸波增强剂。因此,本文以碳化硅为基底,研究垂直取向的三维石墨烯（VG）的制备和结构控制,探索出高效率、低成本和制备工艺简单的SiC/VG和SiC/C/VG复合吸波材料。主要实验内容如下:采用化学气相沉积（CVD）法,在碳化硅纳米颗粒表面生长垂直取向的石墨烯。主要探索了甲烷浓度、生长温度、反应时间的长短和碳化硅碳包覆对石墨烯的生长规律的作用。利用SEM、TEM、XRD、Raman等对复合粉体材料的物相、形貌结构进行研究。结果表明:当生长温度为1100℃时,在甲烷浓度为16.7%时生长的三维石墨烯形貌最佳。三维石墨烯的表面形貌受时间影响较大,时间低于4h时,石墨烯片尺寸较小,时间长于6 h时,碳化硅表面会形成片状的石墨。当碳化硅经过碳包覆处理后,碳层厚度约10nm,包覆的碳层（C）对三维石墨烯的生长不会产生太大影响。通过逐步优化制备条件,得出在生长温度为1100℃,甲烷浓度为16.7%,生长时间为4 h,且碳化硅纳米颗粒经过包碳处理为最佳生长条件。以最佳生长条件下生长的SiC/C/VG为研究对象,采用共沉淀法制备了Fe3O4含量不同的SiC/C/VG-Fe3O4复合材料。研究了SiC/VG、SiC/C/VG、SiC/C/VG-Fe3O4三种材料的电磁吸收特性。吸波测试结果表明,SiC/VG厚度为2.5 mm时,最小反射损耗在10 GHz处,约为-14 d B,低于-10 d B的频率范围约为3.2 GHz。SiC/C/VG的厚度为1.5 mm时,频率为3.2 GHz时,样品吸收的电磁波效率最高,最小反射损耗约为-24.7 d B,有效吸收带宽约为4.1 GHz。含60 wt.%Fe3O4的SiC/C/VG-Fe3O4复合材料有最小的反射损耗值,且当材料的厚度为2 mm时,样品对于频率为16.3GHz附近的电磁波吸收最多,最小RL值约为-45 d B,效吸收带宽约为3.3 GHz。