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本文利用了正电子湮没技术对TiAl合金进行了系统的研究.多普勒展宽谱测量用双探头符合技术正电子湮没辐射装置，可大幅度地降低谱线的本底，获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献.利用符合多普勒展宽谱(CDB)研究了TiAl合金中3d电子行为；利用正电子寿命谱研究了TiAl合金的微观缺陷和自由电子密度；研究合金元素影响TiAl合金中的微观缺陷和3d电子的规律性；探讨合金微结构对材料性能的影响.
双探头符合多普勒展宽系统测量不同化学成分TiAl合金的多普勒展宽谱
分别测量了合金Ti50 Al50，Ti50Al48V2，Ti50Al48Ag2和Ti，Al，Ag，V等金属的正电子寿命，并且利用正电子寿命计算出了合金和金属中的基体和缺陷处的电子密度，研究了V，Ag等金属对合金缺陷和电子密度的影响.