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SOI技术是21世纪重要的主流集成技术之一。它为器件及SOI技术提供了良好的隔离，减少了寄生效应，提高了工作速度，而且具有抗辐射能力强，集成度高等优点。本文目的是为某军工电路研究所设计，应用于某军工系统研究所的火炮控制系统的SOI高压器件及功率开关集成电路。本文主要进行了三个方面的工作：1、提出了降场电极U形漂移区的横向高压器件结构TSOI（Trench SOI），并建立了该结构的解析理论[1]；2、提出基于SIMOX外延衬底ESOI（Epitaxial SIMOX SOI）的器件结构；3、设计了基于SIMOX处延衬底结构的功率开关集成电路。在新型横向高压器件结构TSOI的研究中，本文通过二维泊松方程建立其解析理论，正确描述了漂移区中电场的分布，并阐明其耐压机理。通过将TSOI结构的LDMOS与常规RESURF结构SOI-LDMOS的比较，在同等耐压下采用新型结构的器件长度缩短了1/2，比导通电阻降低了2/3。本文同时对基于该结构和屏蔽槽结构的SOI高压复合结构进行了研究[2-4]。本文提出ESOI的新型器件结构，并对RESURF、槽栅及3D-RESURF的ESOI器件进行了理论分析与模拟仿真，得出了器件的反向阻断与正向导通特性。在此基础上，本文设计了性能满足用户要求的，基于ESOI衬底结构的功率开关集成电路，该集成电路可承受60~80V的反向过冲电压，并具有过流，过压等保护电路。基于ESOI的器件及集成电路不仅衬底材料制备工艺简单，硅层厚度均匀性好，器件及电路特性具有SOI结构的优点，而且还兼顾一定的耐压，对自加热效应也得到优化。本项目目前已完成了SIMOX外延衬底的制备（I层0.37um，外延硅层2.8um），以及功率开关集成电路的电路设计，工艺设计和部分版图设计。