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(K,Na)NbO3（KNN）是近年来被广泛研究的无铅压电材料。自2004年Nature报道织构化KNN基陶瓷的压电系数d33高达416pC/N以来，有关KNN基块体陶瓷和薄膜的研究备受关注。相比于高质量的KNN陶瓷，KNN薄膜在制备工艺和性能方面尚有许多问题没有得到很好解决，例如，晶化温度较高、薄膜漏电流密度较大、性能不稳定等。本文针对KNN薄膜存在的问题，以广泛采用的化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备KNN基薄膜。通过碱金属过量的调控、界面种子层的引入和薄膜的V和Ta掺杂等手段，探讨了改善薄膜性能的途径。综合种子层元素价态的X射线光电子谱（XPS）分析、种子层形貌的扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）分析及其物相的掠入射X射线衍射（XRD）分析对 Nb2O5和V2O5种子层的物相、形貌等进行了表征；利用能谱分析（EDS）、SEM和AFM观察以及XRD物相分析等手段研究KNN基薄膜的成分、微观组织和相组成；用铁电测量仪和阻抗测量仪分别测试了KNN薄膜的铁电和介电性能。在此基础上，研究了KNN薄膜性能的变化规律与机制，结果表明界面种子层及V和Ta元素掺杂可以不同程度地改善KNN基薄膜性能（特别是漏电性能）。 不同K，Na过量比例对KNN薄膜的铁电性能有很大的影响，K元素过量比例的增加有助于得到更好的电性能。由EDS结果确定了薄膜制备过程中K，Na元素的挥发率，以K过量55％，Na过量10%制备出了成分准确的KNN薄膜，得到了良好的铁电性能。研究发现，氧气氛下的二次退火处理可以有效提高薄膜的介电性能。 Nb2O5种子层的添加可以使Pt/Ti/SiO2/Si衬底和KNN薄膜紧密结合,使薄膜漏电流密度显著降低，得到了良好的铁电性能。V2O5种子层在使衬底和薄膜结合紧密的同时，还将KNN薄膜的晶化温度降至425℃，实现了KNN薄膜的低温晶化，比Nb2O5种子层在更大程度上降低了漏电流密度，得到了优于添加Nb2O5种子层薄膜的铁电性能。 以Nb2O5为种子层，制备了K0.4Na0.6Nb1-xVxO3薄膜和(K0.4Na0.6)1-3xLaxNbO3薄膜。V的B位掺杂的KNN薄膜均处于多晶相转变区，均为O相和T相共存，V掺杂很大程度上提高了薄膜的电性能。随着V掺杂含量的提高，薄膜中T相含量增加，x=0.015的薄膜的T相含量最大，同时获得了最高的铁电和介电性能：2Pr=43.7μC/cm2；ε=1189；tanδ=10%。La的A位掺杂没有优化薄膜的电性能，反而使性能劣化。 以V2O5为种子层的K0.4Na0.6Nb1-xTaxO3薄膜，得到了比V掺杂薄膜更优的电性能。与V掺杂薄膜相同，所有Ta掺杂薄膜均为O相和T相共存，薄膜中的T相含量随Ta掺杂量的增加而增加，x=0.015的薄膜的T相含量最大，得到了最高的铁电和介电性能：2Pr=47.2μC/cm2；ε=1120；tanδ=5%。