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薄膜晶体管作为集成电路的基本元器件之一,广泛应用于平板显示、智能传感器、反相器等领域。其中的非晶薄膜晶体管,特别是非晶铟镓锌氧（IGZO）TFTs,以低工作电压、高电流开关比、大面积制备一致性好、制备温度低且工艺廉价等优点备受关注。但是IGZO含有酸溶性的Ga2O3和ZnO,在湿法刻蚀中容易受到影响,导致器件稳定性较差。因此需要研究不含Ga和Zn的非晶半导体材料。而铟钨氧氧化物（IWO）不溶于一般的酸性溶剂,且已经用于太阳能电池、有机发光器件及氧化物TFTs中。此外,随着便携式电子设备的快速发展,普遍要求TFTs器件及相关的电路结构简单且工作电压及功耗较低。因此部分研究者提出了双电层晶体管（EDLTs）,其栅介质为可在外电场下形成双电层的电解质材料。EDLTs的优点是工作电压较低、迁移率高等。目前关于双电层晶体管的研究集中于材料、器件结构及器件性能,关于其在电路中的应用较少。本文主要研究以非晶IWO为沟道材料的双电层薄膜晶体管,探究其在简单施密特触发器电路中的潜在应用,主要的内容及结果包含:1.利用PECVD、RF-MS等真空技术,制备基于纳米二氧化硅固态电解质的IWO双电层薄膜晶体管和基于壳聚糖栅介质的柔性IWO双电层薄膜晶体管。2.基于纳米二氧化硅固态电解质的IWO双电层薄膜晶体管具有底栅结构及双侧栅结构。底栅IWO器件性能良好,工作电压低于2V,阈值电压约为0.17V,电流开关比、场效应迁移率、亚阈值摆幅分别为3.6*107,5.9 cm2V-1s-1,107 mV/decade。基于底栅IWO-TFTs的施密特触发器可在低电压下工作且功耗较低。同时展示了简单施密特触发器对三角波信号的暂态响应曲线。基于双侧栅IWO-TFTs的施密特触发器,是双电层器件首次实现回滞可调控的施密特触发器。3.基于壳聚糖栅介质的柔性IWO-TFTs性能良好,阈值电压为0.30V。该柔性IWO-TFTs器件的开关比、场效应迁移率、亚阈值摆幅分别为1.92*107,3.1 cm2V-1s-1,75.2mV/decade。基于柔性IWO-TFTs的施密特触发器同样可在低电压下工作且功耗较低。综上,两种IWO双电层晶体管均性能良好,且能构建简单施密特触发器电路。本文为双电层晶体管的应用提供了新的思路,基于此类器件的简单施密特触发器电路有潜力应用于噪声过滤、智能传感器及神经形态计算领域。