非制冷热像仪具有可靠性好、长波工作、功耗小、重量轻、体积小、价格低廉等特点，已成为热成像技术发展的一个重要方向，在军事和民用领域具有广阔的应用前景。 本文阐述了热绝缘结构在热释电探测器中的重要性；研究了热绝缘结构制备的工艺过程。通过对牺牲层制备工艺、支撑层制备工艺及牺牲层的去除工艺等工艺技术的研究，获得了图形质量较好的热绝缘结构(微桥结构)样品。建立了优化的微桥结构制备工艺制度，重点确定了牺牲层和支撑层图形化的光刻工艺参数。选择了光敏型聚酰亚胺作为牺牲层材料，并通过优化工艺，使在读出电路上的微桥结构耐受温度≥550℃，牺牲层厚度为(1.5±0.5)μm；制备了像元中心距50μm、填充因子为40％～60％的微桥列阵。该热绝缘结构(微桥结构)有利于提高探测器的性能。