污染控制在现代集成电路开发和生产中是一直要慎重对待的课题。随着半导体工艺尺寸日益缩小，污染控制就越发显得重要了，它已经成为了现代生产中良率提高的头号杀手。现在的离子注入工艺中，污染主要分为以下几种：颗粒污染、金属污染、有机物污染、自然氧化层和静电释放。其中颗粒污染是离子注入工艺中最常见的一种，更是让工程师最头疼的问题。颗粒的沾染会导致晶圆器件的短路或断路，有些甚至会对晶圆表面造成损伤，刮伤光阻层和多晶硅层。对于此种污染，现有的常规做法是增加设备维护保养的频率，但是这样做会造成机台利用率的降低和维护成本的提高。针对这个问题，本文以美国AXCELIS公司生产的离子注入设备为研究对象，提出并尝试了数种控制颗粒污染的方法：增加工艺过程中实时颗粒监控装置(HYT)，完善日常颗粒污染监测手段，优化晶圆扫描速度，加装工艺腔体内壁护板和改良晶圆传送部件。通过这些方法，有效的降低了离子注入生产过程中的颗粒污染，从而提高了产品的良率3.5%，优化了产品生产的工艺，提高了设备的生产能力1.1%，对于生产成本的降低也起到了积极的作用。