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本论文在国内第一台真空磁过滤弧沉积（Filtered arc deposition，FAD）系统的基础上，以制备优质非晶金刚石薄膜为目标，对设备进行了优化改造。添加了射频电源，以便在绝缘基体上沉积薄膜；添加了液氮冷却系统，能够在77K左右的低温下进行薄膜制备；添加了无灯丝的辅助离子源，能进行离子辅助沉积，以及对薄膜进行掺杂，特别是因为离子源为无灯丝离子源，因而可进行氧掺杂。 利用F