随着射频无线通讯产业的快速发展,人们对高性能低成本射频设计方案的需求也在飞速增长。作为射频电路中的关键元素,高频无源器件受到了越来越多的关注。肖特基势垒二极管是射频电路中的关键成分,它是一种多数载流子器件,不存在少子存贮效应,有着优越的高频性能。它的应用范围包括射频信号整流探测,混频和成像。当电路工作在射频范围时,由于硅衬底的损耗和寄生效应,简单的SPICE二极管模型已经不足以描述集成肖特基二极管的特性。在本文中,我们基于中芯国际0.18μm RF CMOS工艺设计和制造了不同结构的N型肖特基二极管。根据器件的直流和高频性能测试数据,建立了新的精确的肖特基二极管器件模型,并提出了相对应的参数提取方法。事实证明在0.1~40GHz频率范围内,在不同的偏压条件下模型仿真结果与测量数据拟合的很好。本文关于射频CMOS工艺的探讨对射频集成电路设计有一定的指导作用;版图设计上的优化对改善高频CMOS器件性能有实际的指导意义;器件的直流和高频特性建模为器件的高频模型建模提供了依据。