磷酸二氢铵(NH4H2PO4,简称ADP)晶体是磷酸二氢钾(KH2PO4,简称KDP)类晶体的一种,具有优良的铁电、压电和电光性能,易于长成大尺寸高质量的晶体,广泛应用于制作光学元件、激光器上的谐波发生器和Q开关等。晶体质量是晶体应用的前提和基础,影响晶体生长质量的因素有很多,探索提高晶体质量的理论方法和技术方案一直是晶体学领域的研究热点。过饱和度是决定晶体生长速度、影响晶体生长稳定性和晶体质量的一个关键参数,因此,确定适合ADP晶体快速生长的最佳过饱和度对该晶体的生长具有重要意义。本文从理论上讨论了一定温度下适合ADP晶体快速生长的过饱和度范围。配置不同浓度的ADP饱和溶液,采用水溶液降温法生长晶体,观察了不同过饱和度下ADP晶体的生长现象,分析了过饱和度对晶体生长习性的影响,并对生长出的晶体进行质量测试,采用金相显微镜,同步辐射等手段对晶体中的位错、散射颗粒等缺陷进行了分析,采用差热和热重分析研究了过饱和度对晶体热性质的影响,明确了合适的过饱和度对ADP晶体生长和晶体质量具有重要作用。