石墨烯是由sp2杂化碳原子构成的一种具有蜂窝状六方点阵结构的二维纳米材料。自从2004年稳定存在的石墨烯被人们通过微机械剥离法发现以来，石墨烯以其优异的电学、热学、力学特性吸引了科学家和工程师的注意。特别是在微电子领域，石墨烯有望在“后摩尔定律时代”成为硅的替代材料。本文通过化学气相沉积方法，在铜箔上生长了大面积、高质量的石墨烯，并将其转移到Si-SiO2衬底上。利用多种手段对石墨烯进行了表征.并分别制备了背栅、顶栅结构的石墨烯场效应晶体管，研究了其电学性能。得出的主要结果如下：开发了“电化学抛光”处理铜箔的专用仪器，能够实现大面积晶畴的石墨烯生长，满足了器件制备对高质量石墨烯的需求。在工艺研究方面：通过参数优化实验，确定了氧等离子刻蚀，超声辅助清洗，低温原子城淀积生长栅介质等工艺的参数。在器件制备方面：整合各个单步工艺，建立了石墨烯场效应器件背栅结构和顶栅结构的整套工艺流程，并测得具有典型石墨烯特征的器件电学特性。测得背栅器件室温空穴迁移率~1500cm2/Vs,电子迁移率最高可达2800cm2/Vs，载流子浓度n0=5×1012cm-2。测得顶栅场效应管的空穴迁移率1200cm2/Vs,载流子浓度p0=8×1012cm-2.