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半导体纳米晶体由于三维量子受限，表现出了与其所对应的体材料完全不同的光学和电学性能，在光电子和非线性器件方面具有广泛的应用前景。量子点与稀土离子相比，具有窄带发射谱线、高量子效率、更强的发射强度等优点。在传统的量子点中，通过调控量子点尺寸，可以改变量子点吸收和光致荧光辐射(PL)峰的波长以及光谱的半峰全宽(FWHM)。所以在光纤中掺杂不同尺寸的量子点，有可能实现波长可调谐激光。 本文研究了三元合金量子点，这种新的三元合金量子点CdSSe，可以通过改变CdSSe硫族元素的组成计量，得到不同的PL波长，协调量子点的吸收和发射特性。通过对它的组成成分连续变化，可以使吸收覆盖整个可见光波段，从而提高光学器件的性能，这带来了很大的应用前景。 本文测量了不同比例系数x的三组份CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收谱和PL谱，确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面。采用UV固化胶，制备了掺杂浓度为0.1～5mg/mL、1～20cm长度的固态纤芯CdSSe/ZnS量子点光纤(QDF)。测量了不同浓度QDF中473nm泵浦功率的吸收衰减速率。测量了PL光谱强度随光纤长度和量子点浓度的变化。 实验结果表明:量子点吸收截面随粒径的增大而增大，随x的增大而减小。在量子点半径为4.5～2.29nm、x=0.4～0.9范围内，吸收截面为(2～1.02)×10-16cm2。核半径为4.5nm的CdSSe/ZnS量子点UV胶掺杂光纤，在473nm波长激光激励下，吸收衰减速率和吸收截面弱关联与掺杂浓度。QDF的PL峰值强度随掺杂浓度和光纤长度变化，存在一个与最大峰值强度对应的饱和掺杂浓度和光纤长度。在浓度为0.4mg/ml，光纤长度为11cm时PL峰值强度最大。 本文实验结果有助于CdSSe/ZnS量子点增益型器件的进一步研究。