基于40nm工艺下的LVDS设计与实现

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LVDS(Low Voltage Differential Signaling)即低压差分信号,是20世纪90年代出现的一种数据传输和接口技术,是解决当今普通I/O接口问题的一种新技术。相对于其他传输技术,LVDS具有传输速度高、抗噪声能力强、功耗低、成本低等诸多优点。因此,LVDS技术的应用越来越广泛。本论文旨在采用SMIC40nm CMOS工艺,以ANSI/TIA/EIA-644A的物理层工业电气参数特性标准作为设计指标,完成800Mbps信号速率下LVDS标准化IP的设计与实现。LVDS技术采用数据串行化差分信号传输方式,发送电路将标准CMOS或TTL信号转换成LVDS信号,经过传输介质的传送,到达接收端,接收电路再将LVDS信号转换成标准CMOS信号,从而完成信号在一定距离内高速、高质量、低功耗传输。本论文的创新之处在于,设计中采用高低电平转换技术和接收端输入范围扩大技术。在40nnm工艺下,数字电源电压为1.1V,为了把LVDS模块作为IP集成于SOC当中,必须解决高低电平转换问题,本项目采用有源放大和正反馈锁存等创新方法解决该技术难题;为实现LVDS信号的稳定可靠传输,本项目中采用轨到轨(Rail-to-Rail)前置放大技术和基于正反馈的可再生迟滞比较技术等创新手段,实现大的共模输入范围,提高低压差分信号抗共模噪声干扰的能力。主要难点为在芯片总体面积、功耗、信号传输衰减及歪斜等方面性能的提升。本论文设计的LVDS电路最终进行了流片验证,并对芯片进行了静态、动态等相关参数的测试,发送芯片带负载静态总功耗为12.79mA,接收芯片无负载静态总功耗为4.23mA,在800Mbps信号速率下的占空比不低于45%且差分输出的幅值大于250mV,各项指标均满足设计要求。
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