【摘 要】
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本文采用flux方法和化学气相输运的方法生长了铁磁性的CrSiTe3和反铁磁的CrPS4单晶。采用X射线衍射(XRD)方法和能谱分析(EDS)方法对单晶进行了表征。使用超导量子干涉仪和物理性
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本文采用flux方法和化学气相输运的方法生长了铁磁性的CrSiTe3和反铁磁的CrPS4单晶。采用X射线衍射(XRD)方法和能谱分析(EDS)方法对单晶进行了表征。使用超导量子干涉仪和物理性能测量系统测试了单晶的磁性和低温下的磁输运性能。CrSiTe3单晶在居里温度以上的温区内存在短程磁有序和由于强自旋轨道耦合作用引起的弱反局域化(WAL)现象。低于居里温度,高场下,由于Cr离子和Te原子的p-d交换作用,出现正的磁电阻现象。使用机械剥离方法制备了二维CrSiTe3和二维CrPS4材料,研究了二维CrSiTe3在空气中和氩气环境下的热稳定性。二维CrSiTe3在空气中对温度非常敏感,120 ℃加热两分钟就会变质而在氩气保护的环境下160 ℃加热30分钟保持稳定。使用紫外光刻方法(UV-photolithography),通过低温显影工艺制作了二维CrSiTe3和二维CrPS4器件。电输运测试表明,二维CrPS4电性为绝缘态,而二维CrSiTe3降温过程中阻值迅速增大,在200 K左右变为绝缘态。
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