本文主要提出了一个统一的退化模型来解释非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管在不同光照及电应力下的退化行为。在提出的统一退化模型中,光激发的双离化氧空位(Vo2+)缺陷及其在电场中的传输机制是引起器件阈值电压(Vth)漂移的两个关键因素。同时,光激发的Vo2+周围会有附加的缺陷态产生,从而影响器件的亚阈值特性。随后,我们做了一系列a-IGZO TFT器件在蓝光光照及电应力下的可靠性实验,包括:单独电应力,单独光照,正偏光照(PBIS),负偏光照(NBIS)。器件的退化现象在不同的应力下各不相同。正栅压应力(PBS)下,器件的转移曲线有个正向的平移;负栅压应力(NBS)下,器件不退化;单独光照下,器件的转移曲线负向漂移,并伴有亚阈值区域的退化;PBIS情况下,转移曲线正向移漂,并伴有亚阈值区域的退化;NBIS情况下,转移曲线负向移漂,亚阈值区域有严重的退化。虽然不同应力下退化现象不同,但是都能用我们提出的统一模型作很好的解释。此外,我们还研究了a-IGZO TFT器件在不同波长光照及不同光强下的退化。除了蓝光,我们还研究了红光,绿光光照下器件的可靠性。在做蓝光NBIS的时候我们调整了蓝光的光强,研究光强对器件的影响。我们发现,是曝光量而不是应力时间或光强对器件在NBIS情况下起主要作用。