【摘 要】
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发光二极管(LED)正逐步取代传统光源,市场对LED功率需求逐渐加大,而传统封装导致LED散热瓶颈,限制了大功率LED发展。LED的热量主要由芯片向下传导,经过封装基板导向热沉,因此
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发光二极管(LED)正逐步取代传统光源,市场对LED功率需求逐渐加大,而传统封装导致LED散热瓶颈,限制了大功率LED发展。LED的热量主要由芯片向下传导,经过封装基板导向热沉,因此封装基板是LED散热通道的重要一环。而目前常用的基板包括金属印刷电路板、覆铜陶瓷板等基板存在散热瓶颈、生产成本过高、存在技术限制等问题。针对该问题本论文致力于研究一种基于阳极氧化技术的高绝缘、高导热、低成本的新型铝基封装基板。研究在硫酸、草酸体系下通过阳极氧化法制备氧化铝(A1203)膜,系统研究了氧化电流密度、溶液浓度、反应时间、电极间距等对氧化铝膜形貌的影响。在0.8mol/L硫酸溶液中,保持两电极间距为3.0cm,进行40min阳极氧化,当电流密度为3.5A/dm2时,制得平均孔径大小为22nm,孔密度为40个/200nm*200nm,膜厚为11μm的氧化铝膜。实验中,采用柔性电极也制得了均匀致密的氧化铝膜。氧化铝膜具有较好的绝缘性,氧化铝最高击穿电压可达2.4kV,并能提高器件的散热能力。为了提高A1203膜在LED封装中反射作用,采用电泳、丝印、提拉等方法在A1203膜表面制备Ti02膜,Ti02膜在保持基板绝缘和散热性能的情况下,提高了基板的表面反射率,有利于其在LED封装中的应用。
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