论文部分内容阅读
面向高噪声关键词识别的卷积循环神经网络低功耗电路设计
【出 处】
：
东南大学
【发表日期】
：
2021年01期
其他文献
电子战是一种对国家安全和人民安居至关重要的现代高技术的军事行动,其力量的强弱代表着一个国家的军事实力水平。雷达是电子战系统重要的组成部分之一,在越来越严峻的电磁环境背景下,宽带多功能相控阵体制雷达已成为先进雷达的重要发展方向。相控阵天线作为相控阵雷达与工作环境间的转换器,也必将沿着宽带宽角、多极化等方向飞速发展,这是确保天线系统高性能工作的关键技术,也是目前研究的热点和难点问题。因此本文着重研究了
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）,在功率集成电路中得到了广泛使用。近年来,人工智能、新能源、5G通信等高新技术的快速兴起,推动LDMOS器件向高耐压、低功耗方向进一步发展。但是传统LDMOS器件受限于硅材料的理论极限,无法满足应用系统对低导
在现代社会,材料化学中新分子探索已经成为热门话题,而材料创新是许多近期技术进步的关键驱动力。化学和材料科学领域的研究一直在不断发展,以开发出具有新颖用途、更低成本和更好性能的化合物。本文围绕基于深度学习的分子图生成对分子生成及目标优化任务展开研究,着力于提高生成分子和目标优化的性能。本文的主要工作如下:首先,分析了分子的两种表示形式:文本表示法和图表示法,对比讨论了它们的机制、特点以及优缺点。介绍
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树,其拓扑设计通常采用对称时钟树结构。而缓冲器的插入设计成为进一步优化时钟树各项指标的关键。目前,相关课题的研究主流的做法是在限定了缓冲器尺寸的前提下,探索插入位置的最优解。而本文认为:限定缓冲器的尺寸后再做缓冲器限制了时钟树各个指标提升的空间,面向缓冲器库的联合优化缓冲器尺寸和