近年来，光伏和光电产业的发展突飞猛进，金属氧化物半导体材料也受到人们的广泛关注。氧化亚锡(SnO)作为一种宽禁带金属氧化物半导体材料，其带隙达到2.5 eV以上，已有研究表明SnO能通过掺杂获得n型或p型导电性并能够应用在薄膜晶体管等光电器件上。另一方面，随着计算机性能的不断提高，材料的理论模拟计算也得到了长足的进步，使得计算机模拟设计新型材料的精确度越来越高。所以，本文将借助计算机模拟技术，选取本征、Sb掺杂和In掺杂SnO作为研究对象，采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法，利用Materials Studio进行建模，通过CASTEP模块对SnO及其掺杂化合物的电子结构和光学性质进行研究，为将来的实验和应用提供理论指导。　　主要内容如下:　　1.采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了本征和锡空位SnO的超晶胞模型，首先对模型进行几何结构优化，之后对SnO的能带结构、态密度(DOS)、缺陷形成能、电荷分布和光学性质进行了计算。从理论上验证了SnO是一种间接带隙半导体。本文计算所得的能隙为1.243 eV，小于实验值2.7 eV，这是由于密度泛函理论把属于激发态的能隙当作基态来计算，同时对于能隙的低估也是Materials Studio软件中的交换关联能泛函LDA存在的固有缺陷之一。态密度计算可以看出，Sn的s轨道和O的p轨道作电子态的主要贡献，而且锡空位(Vsn)的缺陷形成能也较低，容易在材料生长过程中形成。锡空位缺陷使得价带和导带上移，导电性显示p型，也使得禁带宽度有所减少。　　2.与本征SnO相比，Sb的掺入使得材料晶格有所缩小，禁带宽度也减少至1.072 eV。从态密度图看出，Sb的掺入导致SnO的能带结构发生变化，导带底明显下移，带隙减少0.171 eV。在Vsn-Sb共掺的情况下，-10 eV的能带强度有所减弱，费米能级也向价带方向略为靠近。造成这样的原因可能是Sb3+替代Sn2+后多余的一个电子被Vsn2-捕获形成(Sb-Vsn)-，受主性质比Vsn2-弱。可知当Sb掺杂浓度大于本征VSn浓度时，掺杂SnO将表现为n型半导体。在380 nm以上的波长范围里，锡空位缺陷的引入却使材料吸收光谱的数值上升，材料对光的吸收加大。　　3.与本征SnO相比，In的掺入使得材料晶格有所膨胀，禁带宽度也减少至1.063 eV。In的掺入导致SnO的能带结构发生变化，价带带底明显上移，带隙减少0.180 eV，费米能级明显靠近价带，明显呈p型性质。In掺杂提高了材料对580 nm的范围内的光的吸收。