半导体发光二极管广泛应用在汽车、交通信号灯、景观照明和手机等领域。功率型LED作为半导体照明的关键器件,湿度、静电、温度和大电流等外界条件均影响LED的寿命,其老化机理的分析与解决,是提高半导体器件可靠性的前提。为研究LED老化机理,从静电、温度和大电流等方面进行的研究工作如下：(1)阐述了研究LED老化机理研究的意义,以及发光二极管的发光原理。介绍了可靠性特征量、可靠性实验、加速寿命实验和推导模型。(2)研究了功率型GaN基蓝光和白光LED抗静电能力。设置不同强度的反向静电和正向静电分别打击不同的LED芯片,对比分析LED受不同强度的静电打击后光通量和I-Ⅴ曲线的变化趋势。为进一步研究静电对LED失效机理的影响,对LED样品在常温下进行老化实验,设置正向电流为900mA,连续老化700h,根据光通量的衰减趋势得知：反向静电对LED破坏性比较强,而LED对正向静电有一定的承受能力。(3)研究温度对半导体发光二极管的光学和电学参数的影响。5-75℃范围内进行变温实验,正向电流设置为350mA,研究LED的相关色温、光通量、辐射通量、峰值波长、发光效率、电压等参数受温度的影响。(4)介绍LED老化实验的方法,设置温度和电流加速老化实验。温度加速老化实验温度分别为85℃和25℃,设置700mA的正向工作电流,连续老化800h,定期测量并记录其光通量和发光效率等光学参数；电流加速老化实验是在常温下,两组的实验样品工作电流分别设置为900mA和700mA,根据实验数据推导出特定条件下LED的平均工作寿命。鉴于实验条件有限,在LED温度可靠性实验中的温度设置为5-75℃,得出的数据适用的范围较小,需要进一步研究。