高性能半模及折叠基片集成波导无源器件研究

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微波无源器件是微波电路与系统中不可或缺的重要元件,在无线通讯系统当中具有十分广泛的应用;随着第五代移动通信(fifth generation mobile communications,5G)的兴起和逐步普及,微波无源器件的发展也得到了越来越多的关注。半模基片集成波导(Half-mode substrate integrated waveguide,HMSIW)和折叠基片集成波导(Folded substrate integrated waveguide,FSIW)作为一种备受关注的平面波导技术,由于具备更出色的性能表现成为近几年的研究热点。现如今,无源器件不仅需要满足频带宽、损耗低等特性,还需要具备成本低、小型化、易集成等优势。可见,针对高性能HMSIW以及FSIW无源器件的研究对于现代无线通信系统的发展具有相当重要的科研意义和实际应用价值。本文基于HMSIW和FSIW,对小型化、高性能的90°定向耦合器、移相器、和180°定向耦合器等微波无源器件展开研究,主要研究内容包括以下几个方面:(1)基于波导窄边定向耦合器理论和贴片定向耦合器理论,实现了一种HMSIW-MRP混合型定向耦合器,它能够同时将微带电路和半模基片集成波导器件直接相连,为系统的小型化和集成化实现提供了一种新思路;该混合型定向耦合器的相对带宽可达21%,幅度不平衡在1d B以内,相位不平衡度小于4°,同时还具备结构简单、易于加工等优点;(2)通过在FSIW的中间金属层上加载互补开环谐振器(CSRR),设计了一种FSIW宽带移相器;与等长的FSIW传输线相比,它可以提供39%的宽带相移。此外,CSRR的慢波效应减少了移相器的长度,使得移相器更加紧凑,更容易与其他FSIW器件集成,同时,由于FSIW结构的封闭性,使得该移相器的插入损耗更低;(3)基于(2)提出的FSIW移相器,设计了一种FSIW 180度定向耦合器。经实物测试,该180度定向耦合器的回波损耗优于17d B,隔离度优于19.5d B,相对工作带宽可达26%,在10.3~14.4GH频率范围内能够提供180°±5°的稳定相位差;
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