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近年来，在高容量储氢材料的研究开发中，氨硼烷（AB）化合物的浸渍纳米填载技术已成为广大材料工作者的研究热点。与此同时，具有18电子结构的Mg基过渡金属氢化物也因其独特的结构备受人们的关注。本文综述了高容量储氢材料、介孔介质负载氨硼烷储氢材料以及具有18电子结构的Mg基过渡金属氢化物的研究进展。在此基础上，开展了介孔材料MCM-41及A-MCM-41负载AB的研究、介孔NiO制备及其负载AB的研究和镁基过渡金属氢化物储氢材料的制备及其表征研究。主要工作内容包括：（1）采用浸渍法，以四氢呋喃为溶剂，按照AB:MCM-41=1:2,1:1,2:1的比例制备负载材料AB/MCM-41，选用XRD、SAXRD、FTIR、氮气等温吸附、SEM、TEM等分析手段对负载材料进行表征。结果表明，AB:MCM-41=1:2的负载材料中的AB基本嵌入MCM-41中，呈现为了近程有序、远程无序的无定形相态；使AB:MCM-41=1:2负载材料在TG/DSC和TPD/MS的储氢性能测试中，免去了四方相向无定形态的转变，热解放氢温度降低了10°C，放氢过程中无氨气，但有硼嗪产生。（2）采用浸渍法，以含有4%Al2O3和96%SiO2的A-MCM-41为主体，四氢呋喃为溶剂，按照AB:A-MCM-41=1:2,1:1,2:1的比例负载客体AB。XRD、SAXRD、FTIR、氮气等温吸附、SEM、TEM等分析手段用于表征负载材料AB/A-MCM-41。结果表明，AB:MCM-41=1:2的负载材料中的AB完全嵌入A-MCM-41中，呈现为了近程有序、远程无序的无定形相态；使AB:A-MCM-41=1:2负载材料在TG/DSC和TPD/MS储氢测试中，免去了四方相向无定形态的转变，热解放氢温度降低近10°C，放氢过程中无氨气和硼嗪产生。（3）以水热法合成NiO（1）：将蒸馏水:无水乙醇=1:1（体积比）的乙醇溶液75ml，六水氯化镍10mmol，尿素100mmol和十二烷基硫酸钠0.5g加入反应釜中，磁力搅拌混合后至110°C反应15h，再经抽滤、水洗、醇洗，80°C烘干12h，最后在电炉中以1°C/min的升温速率焙烧至300°C保温3h，制得黑色NiO（1）。产物与JCPDS No.65-6920相一致，为直径分布在50-70nm的实体近球形颗粒。将客体AB以AB:NiO（1）=1:1,1:2,1:4比例加载到NiO（1）中，以XRD、FTIR、SEM等表征负载材料AB/NiO（1），并以TG/DSC和TPD/MS对负载材料AB:NiO（1）=1:4的储氢性能进行测试。结果表明，AB:NiO（1）=1:4负载材料的热解放氢温度与原料AB相差仅3.6°C，但放氢过程中无氨气和硼嗪产生。（4）以均匀沉淀模板法合成NiO（2）：按照六水氯化镍:十二烷基硫酸钠:尿素:蒸馏水为20:40:600:1200的摩尔比混合，在40°C水域中搅拌0.5-1h，随后置入80°C烘箱均匀沉淀20h，再经抽滤、水洗、醇洗，60°C烘干12h，最后在电炉中以1°C/min的升温速率焙烧至300°C并保温3h，制得NiO（2）粉末与JCPDS No.65-2091相一致，为由薄片卷曲而成的球型颗粒。将客体AB以AB:NiO（2）=1:1,1:2,1:4比例加载到NiO（2）中，以XRD、FTIR、SEM等表征负载材料AB/NiO（2），并以TG/DSC和TPD/MS对负载材料AB:NiO（2）=1:4的储氢性能进行测试。结果表明，AB:NiO（2）=1:4负载材料的热解放氢温度与原料AB相差10.2°C，放氢过程中无氨气和硼嗪产生。（5）以回流非模板法合成NiO（3）:按照六水氯化镍：六次甲基四胺：蒸馏水为20:200:350000的摩尔比混合，在140°C加热回流2.5h，再经抽滤、水洗、醇洗，60-70°C烘干12h，最后在电炉中以1°C/min的升温速率焙烧至300°C并保温3h，得到NiO（3）粉末与JCPDS No.89-7130相一致，为由薄片交织而成的网状体。以AB:NiO（3）=1:1,1:2,1:4比例负载AB，以XRD、FTIR、SEM等表征负载材料AB/NiO（3），并以TG/DSC和TPD/MS对负载材料AB:NiO（3）=1:4的储氢性能进行测试。结果表明，AB:NiO（3）=1:4负载材料的热解放氢温度与原料AB相差2.2°C，放氢过程中无氨气和硼嗪产生。（6）采用反应球磨法制备镁基过渡金属氢化物。以纳米Fe:微米MgH2=1:3摩尔比混合并球磨55h，制得与JCPDS No.38-843相一致的Mg2FeH6相，产物中含有未反应的Fe和MgH2。相类似，以纳米Co:微米MgH2=2:5摩尔比混合并球磨12h，完全反应制得与JCPDS No.78-215相一致的纳米晶Mg2COH5相，经HRTEM的FFT转换分析，Mg2CoH5的（101）晶面间距为0.366nm。