碲化镉(CdTe)是一种重要的直接带隙化合物半导体材料。其禁带宽度约为1.5ev。由于其禁带宽度接近于太阳能电池的理想带隙，因而CdTe是一种非常具有应用前景的高效的太阳能电池材料；碲化镉可作为太阳能薄膜电池的吸收层。评价太阳能电池性能的重要参数为电池的转换效率。太阳能电池转换效率又决定于开路电压、短路电流密度、填充因子，而开路电压、短路电流密度、填充因子均决定于器件的结构和构成材料的性质，其中材料的性质包括材料的结晶性、缺陷密度、晶粒大小、电导率、带隙等。因而探讨CdTe薄膜的制备方法，以及改善CdTe薄膜的结晶质量具有重要的现实意义。鉴于国内CdTe薄膜的制备方法主要为近空间升华和真空蒸发，而近空间升华和真空蒸发技术均具有薄膜与基片结合较差、工艺重复性不好等缺点。为从根本上克服这些缺点，应寻求新的CdTe薄膜制备方法和技术。目前国内关于磁控溅射制备CdTe薄膜少有文献报道；以及磁控溅射具有薄膜与基片结合较好、薄膜纯度高、致密性好、可重复好、膜厚可控等优点；本文尝试采用磁控溅射法制备碲化镉(CdTe)薄膜；就磁控溅射制备碲化镉(CdTe)薄膜做了一些基础性的研究工作，并取得的了一些有价值的研究成果。本研究主要开展了以下工作： 1、就磁控溅射基本工艺参数(溅射气压、溅射功率、不同的衬底、衬底温度)对碲化镉(CdTe)薄膜结晶性的影响进行了研究。采用XRD及X射荧光光谱对制备出的碲化镉(CdTe)薄膜样品进行了结构特性和组分的表征。 2、进一步讨论了溅射功率、溅射气压对薄膜结晶性影响程度的问题，即薄膜薄膜的结晶性随溅射功率、溅射气压变化快慢的问题。运用分子平均自由程、卢瑟福散射公式等理论对磁控溅射沉积薄膜进行动力学模拟。并运用所得结果对前面所获得实验结果进行了合理的解释。 3、测定了制备出的碲化镉(CdTe)薄膜样品的紫外可见吸收光谱，计算出了CdTe薄膜样品的带隙。讨论了溅射功率、溅射气压对CdTe薄膜带隙的影响，以及退火工艺参数对CdTe薄膜带隙的影响。