本文应用热压烧结技术，以Ti粉、Si粉、SiC粉、TiC粉及炭黑为原料，对Ti₃SiC₂单相材料，SiC/Ti₃SiC₂复合材料及TiC/Ti₃SiC₂复合材料的制备进行了分析，还研究了Ti₃SiC₂单相材料的相组成、显微结构、力学性能及反应合成机理和分别引入不同含量的SiC、TiC对Ti₃SiC₂材料的相组成、力学性能、导电性能及显微结构的影响，得到结论如下：（1）以Ti、Si、炭黑，Ti、SiC、炭黑，Ti、Si、TiC，Ti、SiC、TiC四种原料体系制备的Ti₃SiC₂材料，相组成均为Ti₃SiC₂和TiC。其中，以Ti、Si、TiC为原料制备的Ti₃SiC₂材料，气孔率相对最低，Ti₃SiC₂的纯度高达93.8%，弯曲强度为449MPa，断裂韧性最好为4.7MPa·m1/2，表明在1500℃，保温3h是合成Ti₃SiC₂的较理想工艺参数。（2）SiC/Ti₃SiC₂复合材料的主晶相为Ti₃SiC₂和SiC，含有少量杂质相TiC。研究表明：SiC的引入可以有效提高SiC/Ti₃SiC₂复合材料的力学性能，这是由于第二相SiC颗粒弥散分布于Ti₃SiC₂中起增强作用，但其引入量不宜过高。（3）TiC/Ti₃SiC₂复合材料的主晶相为Ti₃SiC₂和TiC，说明TiC和Ti₃SiC₂在制备中具有很好的相容性。当TiC的引入量达30%时，TiC/Ti₃SiC₂复合材料的弯曲强度和断裂韧性分别为407MPa，3.7MPa·m^1/2。（4）Ti₃SiC₂单相材料的电导率为4.18×10⁶S/m，随着第二相SiC、TiC引入量的增多，SiC/Ti₃SiC₂和TiC/Ti₃SiC₂复合材料的电导率逐渐降低。（5）复合材料的导电机理是在材料基体中，导电颗粒相互接触形成连续的网状结构，随着Ti₃SiC₂相含量的增加，导电通道形成，材料的导电性能增强。