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随着半导体和微电子学科的发展，通信技术也日新月异。卫星通信是一种通信距离远、覆盖范围广、通信容量大的通信方式。由于材料和器件性能的提高，使卫星通信近年来取得了飞速的发展。以卫星通信为代表的微波、毫米波通信的发展，同时又在刺激着半导体材料和半导体器件的不断发展。本课题就是在这种情况产生，从卫星通信系统来研究半导体材料和器件，及它们之间的相互影响，对半导体材料及器件提出了可能达到的目标要求。 由于GaAs器件优良的高频、高电子迁移率、低噪声性能，所以现在高频器件一般都选用GaAs材料。根据现有的多种GaAs单晶制备方案，本课题选择了附加磁场的LEC法(M-LEC)拉制高质量的单晶。利用M-LEC法可以消除单晶中的位错，降低缺陷密度，降低单晶中的杂质含量，并能使杂质在晶体中的分布均匀，得到晶体均匀性、纯净度都高的GaAs单晶。 卫星通信是功率和频带都受限制的一种通信方式，因此接收系统性能改善很有必要。论文提出了三种方法，即两种通过信号功率增加使信息传输速率提高的方法和一种压缩视频带宽提高数据传输速率的方法。使用Matlab语言编制主程序，C语言编写了部分子程序，采用高斯信道和瑞利信道对卫星通信系统进行了仿真实验。前两种方法通过采用先进的GaAs材料和器件降低接收系统的噪声，在发射功率不变的情况下，使系统余量比常规工程设计余量提高1dB以上，信息速率可以提高2Mbps以上。后一种方法视频图像有损伤，能达到现有PAL／NTSC电视节目的质量，数据速率提高2Mbps。