随着现代通信技术的飞速发展和市场需求的不断提高，对射频接收机的性能提出了更高要求。对于接收机中的射频电路模块而言，噪声是一个非常重要的指标。低噪声放大器作为接收机的第一级其性能直接影响整机性能。 本文分别介绍3.0～3.5 GHz和57～64 GHz两个频段的SiGe BiCMOS低噪声放大器的设计。首先介绍低噪声放大器设计的基本射频理论知识；接下去介绍SiGe BiCMOS工艺的基本知识，着重介绍SiGe异质结晶体管(SiGe HBT)模型的噪声、增益、线性度等特性：然后对低噪声放大器常用结构的噪声、线性度、增益进行分析；最后介绍两种低噪声放大器的结构选择、匹配方法、优化设计以及电路仿真和版图绘制。 用于S波段雷达接收机的SiGe BiCMOS低噪声放大器采用三级设计，前级采用BiFET结构，以提供较好的噪声和线性度；后级采用简单的共射极结构以满足线性度的要求。此低噪声放大器的设计直流功耗为150mW，工作频段内的输入匹配S<,11><-20dB，输出匹配S<,22><-12dB，增益S<,21>达到32.5dB，输出P<,1dB>>10dBm，噪声系数.NF<1.5dB。 用于60GHz无线个域网(Wireless Personal Area Network.WPAN)的57～64 GHz SiGeBiCMOS低噪声放大器采用片上螺旋电感元件设计。电路采用共发共基结构，电路的功耗为14mW，在57～64GHz工作频率范围内，增益为11dB，输入匹配S<,11><-12dB，输出匹配S<,22><-12dB，输出P<,1dB>>-4dBm，NF<7dB。