基于CV和DLTS法的新型晶硅太阳电池材料缺陷态研究

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【摘要】

：

认识明确半导体材料中的缺陷态对提高硅太阳能电池的转换效率具有重要意义。众多研究者主要采用了能谱法(EDS)、霍尔效应等测试方法来研究半导体材料中的缺陷态,但这些方法的精确度低,灵敏度也不够高。深能级瞬态谱仪(DLTS)是测试半导体材料中缺陷态最有效的方法之一,本文采用该方法研究光伏材料,分析其中的缺陷态(体内缺陷、表面缺陷)、缺陷类型(电子缺陷、空穴缺陷)和缺陷浓度。主要研究内容和结果如下:1、以

【作者】

：

龚敏刚

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2018年05期

【关键词】

：

材料缺陷晶硅太阳电池 CV法 DLTS法转换效率

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