忆阻器作为一种不同于电阻、电感、电容的新型基本电路元件,其概念由美籍华裔科学家蔡少棠于1971年首先提出。直到2008年,由惠普实验室利用纳米材料制作出世界上第一种实物忆阻器——TiO-2忆阻器,引起了国内外广泛的关注。忆阻器的本质是由磁通量或者电荷量控制的具有非线性特性的电阻。由于具有纳米尺寸的特性,忆阻器可以用来作为非忆失性存储器,并且忆阻器的记忆功能与人类神经元的记忆原理很相似,可以应用于人工智能电路来模拟大脑神经元的突触行为。因此,忆阻器已经成为一个热点研究方向并且有广泛的应用前景。本文首先对忆阻器的基本概念、模型以及发展现况进行介绍,对混沌系统的研究历程以及特点进行了阐述。然后,采用磁控溅射法制备了 Sr_0.95Ba_0.05TiO₃（SBT）纳米薄膜,研制了一类SBT纳米实物忆阻器,阐述了 SBT纳米忆阻器的制作方法及其工作机理,对SBT纳米忆阻器的性能进行了分析,并建立了SBT纳米忆阻器的数学模型。最后,基于SBT纳米忆阻器的模型,设计了一种新型五阶混沌电路,通过研究该忆阻混沌电路的动力学特性。文章通过SBT材料制备了新型的实物忆阻器,并研究温度与电压对其导电率的影响,证明SBT纳米忆阻器具有良好的非线性与易失性,并将SBT纳米忆阻器应用于忆阻混沌电路中,验证了 SBT纳米忆阻器具有应用的价值。