光刻是制备集成电路及其他微纳器件过程中最关键的环节。而传统光刻技术受光学衍射的影响,始终无法突破?/2的衍射极限,这严重限制了光学分辨率的提升,并成为微纳加工领域发展的巨大障碍。近些年来,诸多可以克服衍射极限的新型光刻技术已经蓬勃发展。其中,表面等离子体光刻技术因其波长短、局域性强等特性成为了研究超分辨光刻技术的热点。本论文主要针对表面等离子体的超分辨光刻技术进行了研究。论文的主要工作和结论如下:1、首先分析了传统光刻技术的优缺点,讨论了光刻技术的发展历史和发展新型光刻技术的必要性。分析了表面等离子体光刻技术的现状,并在其基础上,提出了基于PDMS软掩模的表面等离子体光刻技术。2、探索了表面等离子体的相关基本理论,研究了边界效应和耦合效应光刻技术的内在机理,介绍了本论文所采用的数值计算方法。3、建立了传统边界效应和表面等离子体边界效应的两种光刻模型,利用时域有限差分法商用软件Opti-FDTD对光刻模型进行了仿真计算,并对比分析了两种边界效应的电场分布,确定了基于表面等离子体边界效应的光刻技术具有更高的分辨率和对比度,可实现超分辨成像。通过对表面等离子体边界效应光刻结构参数的优化,进一步增强了表面等离子体边界效应。根据实验条件,开展了相关边界效应的光刻实验。结果表明,利用线条宽度为18μm的掩模结构制备出特征尺寸小于2μm的光刻图形。4、建立了光耦合效应和表面等离子体耦合效应的两种光刻模型,并对两种光刻模型进行了仿真计算。通过对电场能量分布的对比分析,确定了表面等离子体耦合效应的光刻技术在分辨率、对比度和传播深度三个方面有明显的提升。通过对表面等离子体耦合效应光刻结构参数的调制,解决了边界效应无法控制特征尺寸、难以制备多样化图形的问题。最终模拟实现了特征尺寸仅为?/10、对比度高达0.99的超分辨成像。