【摘 要】
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该文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器的研制及电参数的工艺调节及优化.该文首先对光电探测器的工作原理和参数进行了分析.其次,就PTCDA 的晶体结构、折射率等材料特性进
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该文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器的研制及电参数的工艺调节及优化.该文首先对光电探测器的工作原理和参数进行了分析.其次,就PTCDA 的晶体结构、折射率等材料特性进行了全面叙述,并且讨论了PTCDA/P-Si势垒的各项电学特性及其在正/反偏压作用下的能带结构.随后,介绍了ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器的研制过程和原理,及其电参数的测试.最后,根据测试结果和PATDA/P-Si异质结界面、表面的XPS和FM分析,从ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器的基本原理、能带结构和工艺流程等方面,对这种新型的光电探测器的电参数进行工艺调节.在该文的最后,通过理论和实践证明,该ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器具有效率高、暗电流小、响应速度快等特点.而且,其工艺简单,易于工业化生产;在自动控制、光纤通信等领域有着广阔的应用前景.
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