聚噻吩及其衍生物因具有较高的抗氧化性和环境稳定性、较多的离域π电子、高的电荷迁移率、快速的光学响应性而成为近年来在导电和光学性能方面受到最重视的共轭聚合物之一。本实验设计合成了聚噻吩及系列的共轭聚噻吩衍生物，并对分子结构进行了FT-IR和1HNMR表征。分别对聚合物的形貌、热力学性能、紫外-可见光吸收和荧光发光性能进行了测试，并研究了聚合物对365nm紫外光和473nm蓝光的响应性。对电化学聚合得到的聚噻吩膜进行电化学性能和导电性能测试，结果表明，聚噻吩膜具有良好的电化学稳定性和较好导电性能。　　紫外-可见光吸收光谱显示，侧链含偶氮苯的聚噻吩衍生物对波长200nm～600nm范围的光具有很好的吸收。当用365nm紫外光对聚合物样品进行照射时，反式偶氮苯的π-π*电子跃迁吸收带的强度降低，顺式的π-π*电子跃迁吸收带强度增大;说明偶氮苯基团在365nm紫外光照下发生了反式→顺式的异构变化。再对样品进行473nm蓝光照射，聚合物溶液的紫外-可见光吸收光谱曲线又恢复至初始时，再对样品进行紫外光照射又发生和之前同样的变化。这个结果说明，聚合物对紫外光和蓝光的响应性很好。对光的吸收和发射测试结果显示，这类聚合物具有很好的发光性能。通过理论计算得到的光学能隙显示，偶氮苯侧链共轭衍生属于半导体范畴，且大小顺序为:EgoptPh6OCH3＜EgoptPh-Ph6OCH3＜EgoptPh3OCH3，本实验合成的聚合物中Ph6OCH3的导电性能最优。并且，采用365nm紫外光照射聚合物时能提高其导电性能，再采用473nm光照射聚合物时，又使其导电性能恢复到原来的水平;即偶氮苯基团以顺式构型存在时，聚合物的导电性能更好。