随着科技的发展与进步,各种智能电子及电气设备均向着微型化、高端化方向发展,电连接器作为电子电气设备中的关键元器件也向微小尺寸及高性能化快速发展,要求电连接器用接插件材料具有高强度、高导电、抗高温软化、耐应力松弛等综合性能。传统的Cu-Ni-Si合金通过多级时效处理可获得更小、更弥散的连续沉淀Ni2Si相,提高合金强度和导电率,但难以同步维持在1000 MPa及45%IACS以上。而Cu-Ni-Si合金可通过不连续沉淀同步提高强度及导电率成为一种新的强化方式,极有可能满足高性能电连接器用接插件材料的需求。研究Cu-Ni-Si合金成分、不连续沉淀大小、形貌、分布特点等对分析不连续沉淀对合金综合性能的作用机理具有一定价值。本文以高合金含量Cu-Ni-Si合金为研究对象,系统研究了 Ni、Si原子含量和一次析出相对合金组织性能的影响规律及机理,并探究了在不同成分的合金中不连续沉淀的析出行为;研究了预变形引入的不同种类变形带对不连续沉淀的析出行为,探明了预变形带来微观组织与合金性能的内在关系;研究了不同种类析出相对合金的抗软化行为,讨论了合金的软化机制;对比连续沉淀的Cu-Ni-Si合金,探究了不连续沉淀的Cu-Ni-Si合金的强度和导电率强化机制。主要得到以下结论:（1）随着镍硅元素的添加量增高,Cu-Ni-Si合金的硬度呈逐渐增加的趋势,且达到峰时效所需要的时效时间逐渐减小;合金的导电率随着Ni、Si含量的增加呈现出逐渐降低的趋势,表明过高的Ni、Si含量会降低合金导电率。且过高的镍硅含量会导致晶内不可避免地产生一次析出相,该一次析出相对合金强度有一定贡献,但会降低合金的塑性。（2）对比连接器用先进铜合金的主要性能指标,在时效及冷变形处理后,本研究中的Cu-4.75Ni-1.13Si合金可获得更高的导电率（50%IACS）及优秀的抗拉强度（966MPa）,Cu-6Ni-1.42Si合金可获得更高的抗拉强度（1071MPa）及较为优异的导电率（46%IACS）。该体系合金获得的优异性能为下一步不连续沉淀相强化型Cu-Ni-Si系合金的设计及开发提供了数据指导及理论依据。（3）揭示了不连续沉淀相在Cu-Ni-Si合金中的生长方式,即不连续沉淀相的两端分别随着晶界的迁移及反应前沿的推进而生长,在生长过程中不连续沉淀会消耗界面前端的固溶原子及连续沉淀相,使其通过界面扩散的方式将Ni、Si原子补充至不连续沉淀相中,使不连续沉淀相沿长度方向得到原子补充而生长。（4）预变形可以增加了 Cu-Ni-Si合金的峰时效硬度,并缩短峰时效的时间。在Cu-4.75Ni-1.13Si合金中,随着预变形程度（0-2 ε u）的增加,合金中不连续沉淀的析出速度是逐渐增快的;而在Cu-6Ni-1.42Si合金中,含有滑移带的0.95 ε u预变形合金相较于含有剪切带的2 ε u预变形合金具有更快的不连续沉淀析出速度。其原因主要是Cu-6Ni-1.42Si合金中滑移带可提供不连续沉淀形核基底以及提供原子快速扩散通道的方式加快不连续沉淀的形成;而剪切带起到提高基底形核数量以及阻碍生长的作用,在形核阶段可加快不连续沉淀形核,但在生长阶段严重阻碍不连续沉淀的生长,最后减缓了不连续沉淀的形成。（5）含有连续沉淀的合金在75%冷变形及400℃低温退火30分钟后,取得了505℃的软化温度;含有不连续沉淀的合金在分85%及98%冷变形以及400℃低温退火10分钟后,分别取得了 575℃和515℃的软化温度。含有不连续沉淀的合金相较于含有连续沉淀的合金展现出了更为优异的抗软化性能,这是由于不连续沉淀对位错及晶界运动的阻碍作用更强。（6）在含有连续沉淀的合金中,对其强度影响最大的强化机制为沉淀强化;在合金进行冷变形后,其强度增量主要由位错密度提高导致的加工硬化的贡献升高所致。在含有不连续沉淀的合金中,影响其时效态及变形态强度的主要强化机制为界面阻碍机制以及加工硬化机制,其中,界面阻碍机制带来的强化效果最为明显,合金的冷变形应变越大时,合金中析出相间距越小,造成的强化效果越强。