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氮化铝一维纳米材料由于拥有低电子亲和势和高的长径比，很可能在低电场下使电子逸出表面而实现场电子发射，所以备受人们关注。我们通过化学气相沉积方法，在硅片和ITO玻璃衬底上成功实现了氮化铝一维纳米结构有序阵列的低温(≤600℃)可控生长。SEM、TEM和XRD的研究结果表明AlN一维纳米材料是沿[0001]方向生长的纤锌矿结构。我们比较分析了纳米结构的形貌对场发射特性的影响，结果表明：AlN纳米锥阵列具有最低的开启电场(5V/μm)和阈值电场(9V/μm)。同时本论文还对氮化铝一维纳米材料的掺杂生长进行了初步探索研究。