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本文采用射频磁控溅射法制备了LiNbO_3/Si、LiNbO_3/SiO_2/Si结构薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线小角衍射、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)等技术对薄膜的微观结构进行了表征。研究了衬底温度、工作压强、Ar/O2流量比、溅射时间等工艺参数以及过渡层SiO_2对LiNbO_3多层结构薄膜光致发光性能的影响,初步探讨了LiNbO_3多层结构薄膜的光致发光机制。通过对LiNbO_3薄膜生长条件的探索,我们得出溅射功率