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MoS_2纳米材料以其高稳定性与高催化活性等优点而有希望成为铂等贵金属催化剂的替代品。但对于原子级厚度的单层MoS_2,其催化活性位只位于材料的边界,其大量的表面位却是催化惰性的,这严重制约了MoS_2纳米材料作为新一代析氢反应催化剂的大规模实际应用。本论文通过调控MoS_2结构优化催化析氢的性能,提出了如何有效推进MoS_2催化发展的观点。具体研究内容和创新点如下:(1)“形貌结构调控”,最大限度暴漏活性边缘。MoS_2的催化析氢活性主要取决于其活性边缘位点的数量。设法使MoS_2垂直生长于半导体