近几年来,由于高分辨率平板显示器,传感器以及大面积柔性电子器件的盛行,使得透明氧化物薄膜晶体管（TFT）越来越成为研究热点。其中具有明显优势的为非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）。a-IGZO材料作为TFT有源层结构,与传统多晶硅材料相比,具有较高的迁移率(一般大于10 cm²V^-1s^-1)、良好的均一性、高透光率以及适应于低温制备等优点。溶液法是实现廉价和低温制备大面积a-IGZO薄膜的重要方法之一。溶液法制备a-IGZO薄膜与磁控溅射等真空工艺制备方法相比具有低温,大面积制备等优点。本文所研究的IGZO及IZO薄膜即为溶液法制备所得。本文主要研究了相同退火温度下,不同退火气氛及压强处理对溶液法制备IGZO薄膜表面形貌结构与光学特性的影响及不同退火温度对IZO薄膜和IGZO/IZO薄膜光学特性的影响。论文的主要内容归纳如下。（1）简要介绍了IGZO及IZO薄膜的结构与导电机制;分析了不同薄膜制备工艺中,溶液法制备薄膜的优点;概述了表征薄膜特性的基本模型如:柯西（Cauchy）模型、Bruggeman有效近似模型（B-EMA模型）及Forouhi-Bloomer模型（F&B模型）。通过椭圆偏振光谱仪（SC630）与原子力显微镜（AFM）对IGZO及IZO薄膜的光学特性及表面形貌进行分析。（2）研究了不同退火气氛及压强对IGZO薄膜光学特性的影响。实验结果表明,与1.5 MPa-N₂气氛相比,在1.5 MPa-O₂气氛下制备IGZO薄膜的光学特性较优越。通过AFM观察样品薄膜表面形貌呈现出同样的趋势。压强由0.1 MPa-O₂增加到1.5 MPa-O₂时,IGZO薄膜表面粗糙层厚度减小,且由F&B模型分析拟合得到薄膜的光学带隙由3.23 eV增加到3.31 eV。进一步说明,1.5 MPa-O₂气氛下能够制备较优越的IGZO薄膜。（3）通过改变退火温度,研究了溶液法制备IZO薄膜的光学特性并且与同等条件下制备的IGZO薄膜进行对比。结果表明,当随着退火温度由220℃增加至300℃,IZO薄膜的折射率和光学带隙都有所增加,消光系数蓝移,说明增加退火温度能够提高IZO薄膜的光学特性。但同等退火条件下制备的IGZO薄膜光学特性优于IZO薄膜。（4）分析了不同衬底结构对IGZO与IZO薄膜光学特性的影响。实验结果表明,IGZO/IZO薄膜具有较为优越的光学特性,且随着退火温度由220℃增加至300℃,IGZO/IZO薄膜更加致密。