高功率微波对电子系统会产生破坏效应。从国家安全和社会稳定的角度考虑，对这种效应进行研究是十分必要的。研究可以分为实验分析和理论分析两个方面，两者是相辅相成的。其中，实验是基础，从实验中得到的数据或结论可以为理论模型的建立提供依据；而通过对基础理论的研究，对场进行深入分析，建立相应的模型并仿真，可以为下一步实验提供依据，为实验平台的建立和实验流程的设计打下坚实的基础；最后通过实验可以验证理论分析的结果，并为进一步进行深入的理论分析创造条件。 本文首先介绍了高功率微波对电子器件的作用效应和分析方法，对测试的实验数据进行分析，并提出改进方案，接着介绍高功率微波对电子器件的损伤模式和损伤机理；然后对电磁场分布情况进行理论研究，并用ANSYS有限元分析软件对电磁场分布进行建模、仿真。电子器件内部和系统之间存在着大量的金属互联引线，在高功率微波的作用下充当了接收天线的作用，其上感应出的电流过大时就可以将金属引线烧毁。因此，在可以充分说明问题的基础上，为了分析方便，本文从金属互联引线着手，建立电子器件的最简单的物理模型，并编写了ADPL程序。为了简单起见，假设外界施加的是平面波，对平面波的极化方向进行了假设，得到了金属互联引线熔化时其周围场分布的情况。为下一步的建模和仿真打下了基础，并为进一步的实验提供了依据。