近年来,绝缘体上硅（SOI）材料在光子集成领域得到了较高的关注,但其波导层和包层间的高折射率差会引入显著的偏振相关性问题,极大的限制了Si基光子器件应用范围。作为解决方案之一,偏振分集系统又成为人们研究的热点。偏振控制器件作为该系统中的核心器件,具有重要的研究意义。因此本文围绕Si基偏振控制器做了如下工作:（1）依据模式耦合原理,设计了基于非对称定向耦合器（ADC）型偏振分束器（PBS）。首先,通过调整波导的宽度和高度,使其满足相位匹配条件,达到偏振分束的目的。其次,通过增加Si₃N₄材料覆盖层以及引入弧形波导,优化器件性能,仿真结果表明:在1550nm波长处,TM₀和TE₀偏振模的偏振消光比（PER）显著增大,均大于29.8dB;损耗（Loss）进一步缩小,均小于0.33dB;器件总长度约为6μm。（2）依据模式混合原理,设计了基于表面等离子体（SPPs）波导的偏振旋转器（PR）。通过引入Ag金属条形成非对称截面,其所激发出的两个混合模式相互干涉,在传输一定距离后实现偏振旋转。仿真结果表明:在1550nm波长处,改变Ag金属条宽度对其转化效率影响不大,其值均大于98%。通过合理选取Ag条宽度与高度（W₁=h₁=W₂=h₂=100nm）,可以获得较短的偏振转换长度（L_C=1.26μm）和较低的损耗（Loss=2.06dB）。（3）依据模式耦合原理,设计了基于混合等离子体波导（HPW）结构的偏振分束-旋转器（PSR）。通过调整直波导（DW）和HPW宽度,使DW中TM₀偏振模的有效折射率和HPW中TE₀偏振模的有效折射率相等,发生偏振旋转的同时又实现了偏振分束的功能。仿真结果表明:在1550nm波段处,TM₀和TE₀偏振模的PER分别为34.6dB和24.8dB;Loss分别为1.688dB和0.072dB,此时器件的耦合长度仅为6.6μm。所设计的Si基偏振控制器件除了可在偏振分集系统应用外,还可应用到偏振-模分联合复用等系统中,为扩展通信容量提供理论参考。